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STW38NB20	文件：351.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=38A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.065Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：351.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STW38NB20	文件：75.4 Kbytes Page：5 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, SGS-Thomson has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, 文件：75.4 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW38NB20	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET	ST 意法半导体	ST
STW3N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-247	ST 上传：深圳市博达晶芯科技有限公司	ST
STW3N150MOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 TO-247	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法

详细参数

型号：
STW38NB20
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 38A TO-247
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
PowerMESH™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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