STW38NB20中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STW38NB20规格书详情
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, SGS-Thomson has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.
■ TYPICAL RDS(on)= 0.052 Ω
■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
■ ±30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW INTRINSIC CAPACITANCE
■ GATE CHARGE MINIMIZED
■ REDUCED VOLTAGE SPREAD
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)
■ DC-AC CONVERTER FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY AND MOTOR DRIVE
产品属性
- 型号：
STW38NB20
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 38A TO-247
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
TO-247-3 |
16900 |
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ST |
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