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STW40N20

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.045Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STW40N20

N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

Description ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconverters. Generalfeatures ■Gatechargem

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STW40N20

N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

40N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

40N20A

40A竊?00VN-CHANNELMOSFET

KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

BR40N20

N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

CED40N20

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 200V,40A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CEU40N20

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 200V,40A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

FIR40N20FG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FIR40N20LG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    STW40N20

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 40 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
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ST
24+
TO-247-3
1600
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ST
24+
08+
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原装现货假一罚十
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22+
NA
3000
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
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ST
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
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ST/意法
24+
TO-247
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ST/意法
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28000
原装现货只有原装.假一罚十
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更多STW40N20供应商 更新时间2025-7-23 14:00:00