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STW45N65M5	文件：1.27445 Mbytes Page：18 Pages	N-channel 650 V, 35 A, 0.067 廓 typ., MDmesh??V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STW45N65M5	文件：1.68457 Mbytes Page：20 Pages	N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STW45N65M5	文件：436.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB45N65M5	文件：1.68457 Mbytes Page：20 Pages	N-channel650V,0.067ohmtyp.,35AMDmeshVPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB45N65M5	文件：1.68457 Mbytes Page：20 Pages	N-channel650V,0.067typ.,35AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FPandTO-220packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB45N65M5	文件：400.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF45N65M5	文件：243.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF45N65M5	文件：1.68457 Mbytes Page：20 Pages	N-channel650V,0.067typ.,35AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FPandTO-220packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF45N65M5	文件：1.68457 Mbytes Page：20 Pages	N-channel650V,0.067ohmtyp.,35AMDmeshVPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFW45N65M5	文件：324.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=78mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingapp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STFW45N65M5	文件：1.27445 Mbytes Page：18 Pages	N-channel650V,35A,0.067廓typ.,MDmesh??VPowerMOSFETsinTO-3PF,TO-247andTO-247longleadspackages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STL45N65M5	文件：878.47 Kbytes Page：16 Pages	N-channel650V,0.075廓typ.,22.5AMDmesh??M5PowerMOSFETinaPowerFLAT??8x8HVpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET basedontheMDmesh™M5innovativevertical processtechnologycombinedwiththewellknownPowerMESH™horizontallayout.The resultingproductoffersextremelylowonresistance,makingitparticularlysuitablefor applicationsrequiringhig	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP45N65M5	文件：1.68457 Mbytes Page：20 Pages	N-channel650V,0.067ohmtyp.,35AMDmeshVPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP45N65M5	文件：1.68457 Mbytes Page：20 Pages	N-channel650V,0.067typ.,35AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FPandTO-220packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP45N65M5	文件：332.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STWA45N65M5	文件：324.45 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STWA45N65M5	文件：1.27445 Mbytes Page：18 Pages	N-channel650V,35A,0.067廓typ.,MDmesh??VPowerMOSFETsinTO-3PF,TO-247andTO-247longleadspackages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW45N65M5
功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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