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STW13009	文件：193.71 Kbytes Page：11 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Hollow emitter structure to enhance switching speeds. Features ■ Low spread of dynamic parameters ■ High voltage capability ■ Minimum 文件：193.71 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW13009	文件：300 bytes Page：1 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor	ST 意法半导体	ST
STW13009	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 12A TO247-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STWH13009	文件：236.84 Kbytes Page：9 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds anh high voltage capability. It uses a Hollow Emitter structure to enhance switching speeds. Features ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic parameters ■ Very high 文件：236.84 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TS13009	文件：278.14 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage NPN Transistor 文件：278.14 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TS13009CZ	文件：278.14 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage NPN Transistor 文件：278.14 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

产品属性

产品编号：
STW13009
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 3A，12A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 5A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
TRANS NPN 400V 12A TO247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STW13009供应商更新时间2026-1-19 16:12:00

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