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STS2309	文件：701.99 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-23package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2309	文件：482.57 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS2309A	文件：720.21 Kbytes Page：7 Pages	P -Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-23package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2309A	文件：471.62 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS2320	文件：603.84 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-23package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2321	文件：623.5 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-23package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2321	文件：500.49 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS25N3LLH6	文件：257.26 Kbytes Page：11 Pages	丝印：25G3L；Package：SO-8；N-channel 30 V, 0.0025 Ω, 22 A, SO-8 STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancheruggedness ■Lowgatedrivepowerlosses ■Verylowswitchinggatecharge Application ■Switchingapplications Description Thisproductutilizesthe6thgenerationofdesign rulesofST’	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STS25NH3LL	文件：290.34 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 25A SO-8 STripFET??III MOSFET FOR DC-DC CONVERSION Description ThisdeviceutilizestheadvanceddesignrulesofSTsproprietarySTripFET™technology.TheinnovativeprocesscoupledwithuniquemetallizationtechniquesmakesitpossibletoproducethemostadvancedlowvoltagePowerMOSFETinanSO-8package.Thedeviceisthereforesuitablefor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STS2601	文件：163.39 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-26package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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产品属性

产品编号：
STS2
制造商：
Panduit Corp
类别：
工具 > 线缆扎带枪和配件
包装：
散装
类型：
焊枪
特性：
符合人体工学，扭转切断
配套使用/相关产品：
小型，中型和标准扎带；0.100" ~ 0.190"（2.54mm ~ 4.83mm）宽
描述：
TOOL CABLE TIE

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