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STS6601

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-26 package.

文件:168.23 Kbytes 页数:7 Pages

Samhop

三合微科

STS6601

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch

文件:454.65 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STT6601

N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET

文件:489.77 Kbytes 页数:6 Pages

SECOS

喜可士

STT6601

N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:613.87 Kbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

THN6601B

NPN SiGe RF TRANSISTOR

文件:280.86 Kbytes 页数:7 Pages

TACHYONICS

详细参数

  • 型号:

    STS6601

  • 制造商:

    SAMHOP

  • 制造商全称:

    SAMHOP

  • 功能描述:

    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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25+
SOT-26
20300
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SAMHOP/三合微科
23+
SOT26
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SOT-26
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更多STS6601供应商 更新时间2025-12-10 17:47:00