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STS9D8NH3LL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel 30V - 0.012Y - 9A SO-8 This device uses the latest advanced design rules of ST’s STrip based technology. The Q1 and Q2 transistors, show respectively, the best gate charge and on-resistance for minimizing the switching and conduction losses. This application specific Power MOSFET has been designed to replace two SO-8 pack Optimal R\nDS(on) x Qg trade-off @ 4.5V\nSwitching losses reduced\nConduction losses reduced;	ST 意法半导体	ST
STS9D8NH3LL	文件：423.55 Kbytes Page：14 Pages	Dual N-channel 30 V - 0.012 廓 - 9 A - SO-8 low on-resistance STripFET??Power MOSFET 文件：423.55 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STS9D8NH3LL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	ST 上传：深圳市励创源科技有限公司	ST
STSPIN32F0A	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP-48	ST 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	ST
STSPIN32F0ATR	文件：0 bytes Page：0 Pages	VFQFPN48	ST/意法上传：深圳市恒佳微电子有限公司	ST/意法

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更多STS9D8NH3LL供应商更新时间2026-1-30 11:47:00