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STS25N3LLH6

Marking:25G3L;Package:SO-8;N-channel 30 V, 0.0025 Ω, 22 A, SO-8 STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancheruggedness ■Lowgatedrivepowerlosses ■Verylowswitchinggatecharge Application ■Switchingapplications Description Thisproductutilizesthe6thgenerationofdesign rulesofST’

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