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STPSC12065G-TR	文件：440.12 Kbytes Page：14 Pages	650 V, 12 A power Schottky silicon carbide diode Features • No or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • Dedicated to PFC applications • High forward surge capability • Operating Tj from -40 °C to 175 °C • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. • ECOPACK2 compliant • Power effi 文件：440.12 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC12065G-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SILICON CARBIDE DIODES	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC12065-Y	文件：478.6 Kbytes Page：15 Pages	Automotive 650 V, 12 A, silicon carbide power Schottky diode 文件：478.6 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC12065-Y	文件：450.85 Kbytes Page：9 Pages	Dedicated to PFC applications 文件：450.85 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
T-12065	文件：39.75 Kbytes Page：1 Pages	Wideband RF Impedance Matching Transformers 文件：39.75 Kbytes 页数：1 Pages	RHOMBUS-IND	RHOMBUS-IND

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更多STPSC12065G-TR供应商更新时间2026-1-31 15:02:00