Automotive 650 V, 30 A high surge silicon carbide power Schottky diode

Features • AEC-Q101 qualified and PPAP capable • No reverse recovery charge in application current range • Switching behavior independent of temperature • High forward surge capability • Operating Tj from -55 °C to 175 °C • SMD with top side cooling package (HU3PAK) • ECOPACK2 compliant com

文件：567.35 Kbytes 页数：11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

原厂封装

ST

上传：深圳市力拓辉电子有限公司

TO-247

ST

上传：深圳市凌旭科技有限公司

TO-220-2

ST

上传：深圳市华康联电子科技有限公司

TO-92

ST

上传：深圳市美思瑞电子科技有限公司