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STPSC20H065C	文件：170.55 Kbytes Page：9 Pages	Dedicated to PFC applications 文件：170.55 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC20H065CWLY	文件：255.96 Kbytes Page：10 Pages	Automotive 20 A 650 V power Schottky silicon carbide diode Features • AEC-Q101 qualified • PPAP capable • No or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • Dedicated to PFC applications • High forward surge capability • ECOPACK2 compliant component Description The STPSC20H065CWLY is an ultra-high-performance po 文件：255.96 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC20H065CT	文件：111.68 Kbytes Page：8 Pages	650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：111.68 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC20H065CTY	文件：156.72 Kbytes Page：9 Pages	Dedicated to PFC applications 文件：156.72 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC20H065CW	文件：170.55 Kbytes Page：9 Pages	Dedicated to PFC applications 文件：170.55 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STPSC20H065CW	文件：400.91 Kbytes Page：2 Pages	SiC Schottky Diode 文件：400.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STPSC20H065CWY	文件：156.72 Kbytes Page：9 Pages	Dedicated to PFC applications 文件：156.72 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC20H065C-Y	文件：156.72 Kbytes Page：9 Pages	Dedicated to PFC applications 文件：156.72 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC20H065C	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V、20 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力;	ST 意法半导体	ST

技术参数

Number of Diodes_spec：
2
Marketing Status：
Active
Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
650
Average Rectified Current_max(A)：
20
VF_max(V)：
1.75
VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
10
Reverse Current_max(mA)：
0.1
Total capacitive charge(nC)：
28.5
Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
100
Junction Temperature_max(°C)：
175
General Description：
650 V

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