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STPSC16H065C

650 V power Schottky silicon carbide diode

文件:170.88 Kbytes 页数:8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STPSC16H065CT

650 V power Schottky silicon carbide diode

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意法半导体

STPSC16H065C

650 V power Schottky silicon carbide diode

碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n 这款双管配置的二极管特别适用于交错或无桥拓扑,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复,或反向恢复可忽略\n• 开关行为受温度影响小• 高耐正向浪涌电流能力\n• ECOPACK®2 兼容组件;

ST

意法半导体

STPSC16H065CT

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220

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意法半导体

技术参数

  • Number of Diodes_spec:

    2

  • Marketing Status:

    Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V):

    650

  • Average Rectified Current_max(A):

    16

  • VF_max(V):

    1.75

  • VF measure condition_spec(@ IF)(A):

    8

  • Reverse Current_max(mA):

    0.08

  • Total capacitive charge(nC):

    23.5

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A):

    75

  • Junction Temperature_max(°C):

    175

  • General Description:

    650 V power Schottky silicon carbide diode

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更多STPSC16H065C供应商 更新时间2025-10-6 14:04:00