N沟道800 V, 515 mOhm典型值, 7 A MDmesh K6功率MOSFET, 采用TO-220封装

这种超高电压N沟道功率MOSFET基于意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh K6技术设计而成。其结果为最佳单位面积导通电阻和栅极电荷，适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。 • 全球极低的RDS(on) x面积 \n• 全球出色的品质因数 (FoM) \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100%雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

HiPerFAST IGBT

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IXYS

艾赛斯

High Current IGBT

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IXYS

艾赛斯

600V, 80A Field Stop IGBT

General Description Using novel field stop IGBT technology, Fairchild®s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Voltage:

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FAIRCHILD

仙童半导体