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FGH80N60FD	文件：665.97 Kbytes Page：9 Pages	600V, 80A Field Stop IGBT General Description Using novel field stop IGBT technology, Fairchild®s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Voltage: 文件：665.97 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH80N60FD2	文件：650.63 Kbytes Page：9 Pages	600V, 80A Field Stop IGBT General Description Using novel field stop IGBT technology, Fairchild®s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Coltage: VCE(sat) = 1.8 文件：650.63 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH80N60FD2TU	文件：650.63 Kbytes Page：9 Pages	600V, 80A Field Stop IGBT General Description Using novel field stop IGBT technology, Fairchild®s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Coltage: VCE(sat) = 1.8 文件：650.63 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH80N60FD2TU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH80N60FDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH80N60FDTU	文件：665.97 Kbytes Page：9 Pages	600V, 80A Field Stop IGBT General Description Using novel field stop IGBT technology, Fairchild®s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Voltage: 文件：665.97 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH80N60FD	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，600V，场截止飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为感应加热、通讯、ESS 和 PFC 等低导通损耗和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。 •高电流能力\n•低饱和电压：VCE(sat) =1.8V @ IC = 40A\n•高输入阻抗\n•快速开关\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH80N60FD2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，600V，场截止飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为感应加热和功率因数校正(PFC)等低导通损耗和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。 •高电流能力\n•低饱和电压：VCE(sat) =1.8V @ IC = 40A\n•高输入阻抗\n•快速开关\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH80N60FD2TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 290W TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH80N60FDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 290W TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
600
IC Max (A)：
40
VCE(sat) Typ (V)：
1.8
VF Typ (V)：
2.3
Eoff Typ (mJ)：
0.52
Eon Typ (mJ)：
1
Trr Typ (ns)：
105
Irr Typ (A)：
2.6
Gate Charge Typ (nC)：
120
PD Max (W)：
290
Co-Packaged Diode：
Yes
Package Type：
TO-247-3

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