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FGH80N60FD2TU中文资料PDF规格书

FGH80N60FD2TU
厂商型号

FGH80N60FD2TU

参数属性

FGH80N60FD2TU 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 80A 290W TO247

功能描述

600V, 80A Field Stop IGBT

文件大小

650.63 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 20:20:00

FGH80N60FD2TU规格书详情

General Description

Using novel field stop IGBT technology, Fairchild®s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Features

• High Current Capability

• Low Saturation Coltage: VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 40 A

• High Input Impedance

• Fast Switching

• RoHS Compliant

Applications

• Induction Heating, PFC

产品属性

  • 产品编号:

    FGH80N60FD2TU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    1mJ(开),520µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    21ns/126ns

  • 测试条件:

    400V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 290W TO247

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