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FGH80N60FD2TU分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FGH80N60FD2TU |
| 参数属性 | FGH80N60FD2TU 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 80A 290W TO247 |
| 功能描述 | DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
298.83 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
FAIRCHILD【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-20 23:00:00 |
| 人工找货 | FGH80N60FD2TU价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH80N60FD2TU规格书详情
Description
SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.
Features
• 650 V @TJ = 150°C
• Max. RDS(on) = 380 mΩ
• Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)
• Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)
• 100 Avalanche Tested
Applications
• LCD / LED / PDP TV Lighting
• Solar Inverter
• AC-DC Power Supply
产品属性
- 产品编号：
FGH80N60FD2TU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型：
场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，40A
- 开关能量：
1mJ（开），520µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/126ns
- 测试条件：
400V，40A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 80A 290W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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onsemi |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO247 |
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ON(安森美) |
23+ |
TO-247 |
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FAIRCHILD |
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FAIRCHILD |
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