首页>FGH75T65SQDT_F155>规格书详情

FGH75T65SQDT_F155分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGH75T65SQDT_F155
厂商型号

FGH75T65SQDT_F155

参数属性

FGH75T65SQDT_F155 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V FS4 TRENCH IGBT

功能描述

http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF
650V FS4 TRENCH IGBT

封装外壳

TO-247-3

文件大小

1.0744 Mbytes

页面数量

11

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

网址

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-8-9 8:18:00

人工找货

FGH75T65SQDT_F155价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FGH75T65SQDT_F155规格书详情

FGH75T65SQDT_F155属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的FGH75T65SQDT_F155晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FGH75T65SQDT_F155

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 开关能量:

    300µJ(开),70µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/120ns

  • 测试条件:

    400V,18.8A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    650V FS4 TRENCH IGBT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
onsemi(安森美)
24+
TO247
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
ON/安森美
2023+
TO-247
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
ON(安森美)
25+
标准封装
8000
原装,请咨询
询价
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON
24+
TO-247-3
25000
ON全系列可订货
询价
ON(安森美)
23+
TO-247-3
13908
公司只做原装正品,假一赔十
询价
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
ON
1847+
TO-247
164
1847+
询价