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FGH80N60FD2TU	文件：650.63 Kbytes Page：9 Pages	600V, 80A Field Stop IGBT General Description Using novel field stop IGBT technology, Fairchild®s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Coltage: VCE(sat) = 1.8 文件：650.63 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGH80N60FD2TU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGH80N60FD2TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 290W TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH80N60FD2	文件：650.63 Kbytes Page：9 Pages	600V, 80A Field Stop IGBT General Description Using novel field stop IGBT technology, Fairchild®s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Coltage: VCE(sat) = 1.8 文件：650.63 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

产品属性

产品编号：
FGH80N60FD2TU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，40A
开关能量：
1mJ（开），520µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/126ns
测试条件：
400V，40A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 80A 290W TO247

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