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FGH80N60FD2	文件：650.63 Kbytes Page：9 Pages	600V, 80A Field Stop IGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheatingandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationColtage:VCE(sat)=1.8	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH80N60FD2TU	文件：650.63 Kbytes Page：9 Pages	600V, 80A Field Stop IGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheatingandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationColtage:VCE(sat)=1.8	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH80N60FD2TU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH80N60FD2TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 290W TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FGH80N60FD2
功能描述：
IGBT 晶体管 600V 80A Field Stop
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多FGH80N60FD2供应商更新时间2025-6-20 16:30:00

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