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FGH80N60FD2中文资料IGBT，600V，场截止数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGH80N60FD2 |
| 参数属性 | FGH80N60FD2 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 80A 290W TO247 |
| 功能描述 | IGBT，600V，场截止 |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-20 23:01:00 |
| 人工找货 | FGH80N60FD2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH80N60FD2规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为感应加热和功率因数校正(PFC)等低导通损耗和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性 Features
•高电流能力
•低饱和电压：VCE(sat) =1.8V @ IC = 40A
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 消费型设备
简介
FGH80N60FD2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH80N60FD2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGH80N60FD2
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：40
- VCE(sat) Typ (V)
：1.8
- VF Typ (V)
：1.2
- Eoff Typ (mJ)
：0.52
- Eon Typ (mJ)
：1
- Trr Typ (ns)
：125
- Irr Typ (A)
：4.8
- Gate Charge Typ (nC)
：120
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：290
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
9100 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO247 |
8868 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
TO-247 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1139+ |
TO-247 |
1 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-247 |
8866 |
询价 | |||
Fairchild/ON |
22+ |
TO247 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
