FGH75T65SQDTL4中文资料IGBT，650V，75A，场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

安森美半导体的新型场截止第四代 IGBT 系列采用创新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性 Features

•最大结温： TJ = 175°C
•正温度系数，易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压： VCE(sat) = 1.6 V（典型值） @ IC = 75 A
•ILM
部件100%检测
•高输入阻抗
•快速开关
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准

简介

FGH75T65SQDTL4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH75T65SQDTL4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。