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FGH50T65SQD中文资料FGH50T65SQD: 650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGH50T65SQD |
| 参数属性 | FGH50T65SQD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3 |
| 功能描述 | FGH50T65SQD: 650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 16:42:00 |
| 人工找货 | FGH50T65SQD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH50T65SQD规格书详情
简介
FGH50T65SQD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH50T65SQD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGH50T65SQD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： 650 V
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：
- VCE(sat) Typ (V)
：
- VF Typ (V)
：
- Eoff Typ (mJ)
：
- Eon Typ (mJ)
：
- Trr Typ (ns)
：
- Irr Typ (A)
：
- Gate Charge Typ (nC)
：
- Short Circuit Withstand (µs)
：
- EAS Typ (mJ)
：
- PD Max (W)
：
- Co-Packaged Diode
：
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2023+ |
TO-247 |
43650 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-247 |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
TO-247 |
6000 |
只做原装,假一赔百 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-247 |
47186 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
18+ |
TO-247 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-247 |
5400 |
原厂原装,价格优势 |
询价 |
