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FGH50N6S2D中文资料600V，SMPS II IGBT数据手册ONSEMI规格书
FGH50N6S2D规格书详情
描述 Description
FGH50N6S2D 是一款低门极电荷，低平坦区电压 SMPS II IGBT，结合了 SMPS IGBT 的快速开关速度以及更低门极负荷、平坦区电压和雪崩能力 (UIS)。此类 LGC 器件缩短了延迟时间，降低了门极驱动器的功率要求。此类器件适用于低导通损耗、快速开关时间和 UIS 能力至关重要的高电压开关模式电源应用。SMPS II LGC 器件专用于：
• 功率因数校正 (PFC) 电路
• 全桥拓扑结构
• 半桥拓扑结构
• 推拉电路
• 不中断电源
• 零电压和零电流开关电路 IGBT，以前开发类型 TA49344，二极管以前开发类型 TA49392
特性 Features
•390 V、40 A 时的工作频率为 100 kHz
•390 V、25 A 时的工作频率为 200 kHz
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间。 . . . . . TJ=125°C 时为 60 ns
•低栅极电荷。 . . . . . VGE=15 V 时为 70 nC
•低峰值电压。 . . . . . 6.5 V（典型值）
•UIS（额定值）。 . . . . . 480mJ
•低导通损耗
应用 Application
• 其他工业
• 不间断电源
简介
FGH50N6S2D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH50N6S2D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
FGH50N6S2D
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，30A
- 开关能量：
260µJ（开），250µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/55ns
- 测试条件：
390V，30A，3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 75A TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHIL |
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