600V，SMPS II IGBT

FGH50N6S2D 是一款低门极电荷，低平坦区电压 SMPS II IGBT，结合了 SMPS IGBT 的快速开关速度以及更低门极负荷、平坦区电压和雪崩能力 (UIS)。此类 LGC 器件缩短了延迟时间，降低了门极驱动器的功率要求。此类器件适用于低导通损耗、快速开关时间和 UIS 能力至关重要的高电压开关模式电源应用。SMPS II LGC 器件专用于：• 功率因数校正 (PFC) 电路• 全桥拓扑结构• 半桥拓扑结构• 推拉电路• 不中断电源• 零电压和零电流开关电路 IGBT，以前开发类型 TA49344，二极管以前开发类型 TA49392 •390 V、40 A 时的工作频率为 100 kHz\n•390 V、25 A 时的工作频率为 200 kHz\n•600 V 开关 SOA 能力\n•典型下降时间。 . . . . . TJ=125°C 时为 60 ns\n•低栅极电荷。 . . . . . VGE=15 V 时为 70 nC\n•低峰值电压。 . . . . . 6.5 V（典型值）\n•UIS（额定值）。 . . . . . 480mJ\n•低导通损耗;

ONSEMI

安森美半导体

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

文件：195.22 Kbytes 页数：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 75A TO247-3

ONSEMI

安森美半导体

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

文件：173.97 Kbytes 页数：8 Pages

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