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FGH75T65SQDT数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGH75T65SQDT

参数属性

FGH75T65SQDT 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V 75A FS4 TRENCH IGBT

功能描述

IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench
650V 75A FS4 TRENCH IGBT

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 10:40:00

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FGH75T65SQDT规格书详情

简介

FGH75T65SQDT属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH75T65SQDT晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGH75T65SQDT

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :75

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.6

  • VF Typ (V)

    :1.8

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.18

  • Eon Typ (mJ)

    :0.76

  • Trr Typ (ns)

    :76

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :128

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :375

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-247-3

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