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FGH75T65SQDT中文资料IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGH75T65SQDT |
| 参数属性 | FGH75T65SQDT 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：650V 75A FS4 TRENCH IGBT |
| 功能描述 | IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
| 人工找货 | FGH75T65SQDT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH75T65SQDT规格书详情
简介
FGH75T65SQDT属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH75T65SQDT晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGH75T65SQDT
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：75
- VCE(sat) Typ (V)
：1.6
- VF Typ (V)
：1.8
- Eoff Typ (mJ)
：0.18
- Eon Typ (mJ)
：0.76
- Trr Typ (ns)
：76
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：128
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：375
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3280 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO2474 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
11+ |
TO247F |
15 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO247 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON |
1847+ |
TO-247 |
164 |
1847+ |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
