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FGH75T65UP_F085中文资料650 V、75 A、1.69 V、TO-247场截止 IGBT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGH75T65UP_F085

功能描述

650 V、75 A、1.69 V、TO-247场截止 IGBT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:12:00

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FGH75T65UP_F085规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列采用创新型场截止沟道 IGBT 技术,为汽车充电器、光伏逆变器、UPS 和数字发电机等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

特性 Features

最大结温: TJ =175oC
正温度系数,易于并联运行
高电流能力
低饱和电压: VCE(sat) = 1.65V(典型值) (IC = 75 A)
高输入阻抗
紧密的参数分布
符合 RoHS 标准
符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求

技术参数

  • 制造商编号

    :FGH75T65UP_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 650V

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    : 

  • VCE(sat) Typ (V)

    : 

  • VF Typ (V)

    : 

  • Eoff Typ (mJ)

    : 

  • Eon Typ (mJ)

    : 

  • Trr Typ (ns)

    : 

  • Irr Typ (A)

    : 

  • Gate Charge Typ (nC)

    : 

  • Short Circuit Withstand (µs)

    : 

  • EAS Typ (mJ)

    : 

  • PD Max (W)

    : 

  • Co-Packaged Diode

    : 

  • Package Type

    :TO-247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
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