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FGH75T65UPD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGH75T65UPD |
| 参数属性 | FGH75T65UPD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| 功能描述 | 650V, 75A，场截止沟道IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 9:46:00 |
| 人工找货 | FGH75T65UPD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH75T65UPD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列产品采用创新型场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和数字功率产生器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性 Features
最大结温：TJ = 175°C
正温度系数，适合并联运行
高电流能力
低饱和电压：VCE(sat) = 1.65V（典型值）@ IC = 75A
高输入阻抗
紧密的参数分布
符合 RoHS 标准
短路耐用性：25°C 时为 5µs
应用 Application
不间断电源发电和配电
简介
FGH75T65UPD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH75T65UPD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGH75T65UPD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： 650V
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：75
- VCE(sat) Typ (V)
：1.65
- VF Typ (V)
：
- Eoff Typ (mJ)
：
- Eon Typ (mJ)
：
- Trr Typ (ns)
：127
- Irr Typ (A)
：
- Gate Charge Typ (nC)
：
- Short Circuit Withstand (µs)
：
- EAS Typ (mJ)
：
- PD Max (W)
：
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2023+ |
TO-247 |
18450 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
40000 |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO247 |
151 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ONSEMI |
21+20+19+ |
TO-247-3 |
6751 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO247 |
6000 |
全新原装 公司现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
2021+ |
TO-247-3 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
TO247 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
