FGH80N60FD中文资料IGBT，600V，场截止数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为感应加热、通讯、ESS 和 PFC 等低导通损耗和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

特性 Features

•高电流能力
•低饱和电压：VCE(sat) =1.8V @ IC = 40A
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 消费型设备

简介

FGH80N60FD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH80N60FD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。