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STP80N600K6数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STP80N600K6

功能描述

N沟道800 V, 515 mOhm典型值, 7 A MDmesh K6功率MOSFET, 采用TO-220封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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STP80N600K6规格书详情

描述 Description

这种超高电压N沟道功率MOSFET基于意法半导体20年的超结技术经验,采用终极MDmesh K6技术设计而成。其结果为最佳单位面积导通电阻和栅极电荷,适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。

特性 Features

• 全球极低的RDS(on) x面积
• 全球出色的品质因数 (FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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