首页>STP28N60DM2>规格书详情
STP28N60DM2中文资料N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP28N60DM2规格书详情
描述 Description
These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. They offer very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STP28N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：21
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：34
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：140
- Qrr_typ(nC)
：500
- Peak Reverse Current_nom(A)
：7.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+/25+ |
TO-220 |
50000 |
热卖原装现货库存质量保证,下单秒发货,现货告急先到先得13714450367 |
询价 | ||
ST |
17+ |
TO220 |
244 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
原厂封装 |
5000 |
ST代理原盘原标,优势出可订货! |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
23950 |
只做原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO220-3 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
