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STP26N60M2中文资料N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STP26N60M2 |
| 参数属性 | STP26N60M2 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220 |
| 功能描述 | N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装 |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 20:00:00 |
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STP26N60M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
简介
STP26N60M2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STP26N60M2晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STP26N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.165
- Drain Current (Dc)_max(A)
：20
- PTOT_max(W)
：169
- Qg_typ(nC)
：34
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
9999 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220 |
40000 |
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询价 | ||
ST |
19+ |
TO-220 |
20 |
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询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220-3 |
11000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-220 |
5000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
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TO220 |
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ST |
25+ |
TO-220 |
5000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
8750 |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
询价 |
