首页>STP25NM60ND>规格书详情
STP25NM60ND数据手册ST中文资料规格书
STP25NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STP25NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
2511 |
4945 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
94 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220-3 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST |
2019 |
TO-220AB |
19700 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220-3 |
1 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO220AB |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST专家 |
23+24 |
TO220AB |
59340 |
原装正品,原盘原标,优势库存 |
询价 | ||
ST |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-220-3 |
1773 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 |
