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STP26NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STP26NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.165
- Drain Current (Dc)_max(A)
：20
- PTOT_max(W)
：140
- Qg_typ(nC)
：60
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO220 |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO220 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-220 |
39981 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2024+ |
NA |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO220 |
6880 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2025+ |
N/A |
1040 |
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power完成您的设计 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
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询价 |
