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STP260N6F6中文资料N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package数据手册ST规格书
STP260N6F6规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Low gate charge
• Very low on-resistance
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STP260N6F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.003
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：300
- Qg_typ(nC)
：183
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
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STM |
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TO-220 |
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ST |
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TO-220 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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TO-220 |
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