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STP110N55F6

N-channel 55 V, 4.5 mOhm typ., 110 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits a very low RDS(on)in all packages. Low gate charge\nVery low on-resistance\nHigh avalanche ruggedness;

ST

意法半导体

STP110N55F6

N-channel 55 V, 4.3 m, 110 A TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

文件:409.12 Kbytes 页数:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP110N7F6

TO-220

ST

STP110N7F6

TO-220

ST/意法

STP110N7F6MOS(场效应管)

TO-220

ST/意法

详细参数

  • 型号:

    STP110N55F6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STP110N55F6供应商 更新时间2026-2-1 17:00:00