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STP14NF12FP	文件：345.78 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 120V - 0.16ohm - 14A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET??POWER MOSFET Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP14NF12FP	文件：311.19 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 120V - 0.16OHM - 14A - TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP14NF12FP	文件：2.20594 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P14NF12	文件：311.19 Kbytes Page：14 Pages	N-channel120V-0.16OHM-14A-TO-220/TO-220FPLowgatechargeSTripFETTMIIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP14NF12	文件：939.29 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
STP14NF12FP
功能描述：
MOSFET N-Ch, 120V-0.16ohms 14A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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