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STL33N60DM2

N-channel 600 V, 0.115(ohm) typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

文件:784.46 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL33N60M2

Extremely low gate charge

文件:873.82 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL33N65M2

N-channel 650 V, 0.124 (ohm0 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

文件:815.69 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL34N65M5

Low gate input resistance

文件:1.10807 Mbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL35N15F3

N-channel 150 V, 0.0355, 7 A STripFET III Power MOSFET

文件:848.91 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL35N6F3

N-channel 60 V, 0.019 廓, 10 A STripFET??III Power MOSFET in PowerFLAT??5x6 package

文件:994.88 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL35NF10

N-CHANNEL 100V - 0.025ohm - 35A PowerFLAT??LOW GATE CHARGE STripFET??MOSFET

文件:165 Kbytes 页数:6 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL36N55M5

N-channel 550 V, 0.066 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

文件:1.12478 Mbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL36N60M6

丝印:36N60M6;N-channel 600 V, 91 m廓 typ., 25 A MDmesh??M6 Power MOSFET in a PowerFLAT??8x8 HV package

文件:418.34 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL38N65M5

Low input capacitance and gate charge

文件:1.10742 Mbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • 特性:

    高CV值,长寿命品,超小型.高度为5mm~9mm,105 ℃ 3000~5000小时

  • 使用温度范围:

    -40~+105℃

  • 稳定电压:

    6.3~50

  • 标准容量:

    1~1000

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更多STL供应商 更新时间2024-4-11 18:15:00