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STL16N65M2	文件：947.95 Kbytes Page：16 Pages	丝印：16N65M2；Package：PowerFLAT5x6HV；N-channel 650 V, 0.325 ??typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 HV package 文件：947.95 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL16N65M5	文件：934.88 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 650 V, 0.270 ohm, 12 A PowerFLAT 8x8 HV 文件：934.88 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL17N3LLH6	文件：928.08 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V, 0.0038 廓, 17 A PowerFLAT??3.3x3.3) STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET 文件：928.08 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL17N65M5	文件：1.10324 Mbytes Page：16 Pages	Excellent switching performance 文件：1.10324 Mbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL180N6F7	文件：3.96196 Mbytes Page：4 Pages	Compact reference design for low voltage brushless power tools based on STSPIN32F0B 文件：3.96196 Mbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL18N55M5	文件：900.73 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 550 V, 0.205, 13 A PowerFLAT 8x8 HV MDmesh V Power MOSFET 文件：900.73 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL18N65M2	文件：710.28 Kbytes Page：14 Pages	Zener-protected 文件：710.28 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL18N65M5	文件：1.54071 Mbytes Page：17 Pages	Very low intrinsic capacitance 文件：1.54071 Mbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL18NM60N	文件：610.57 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 600 V, 0.260 廓, 6 A PowerFLAT??8x8 HV MDmesh??II Power MOSFET 文件：610.57 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL190N4F7AG	文件：980.23 Kbytes Page：14 Pages	High avalanche ruggedness 文件：980.23 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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替换型号

技术参数

特性：
高CV值，长寿命品，超小型.高度为5mm～9mm，105 ℃ 3000～5000小时
使用温度范围：
-40～+105℃
稳定电压：
6.3～50
标准容量：
1～1000

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深圳市益百分电子有限公司	STLED316MTR	ST	SOP24	11+	5000	原装现货价格有优势量多可发货	询价
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