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STGF10NB60SD中文资料16 A、600 V低压降IGBT，带柔软、恢复速度极快的二极管数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STGF10NB60SD |
| 参数属性 | STGF10NB60SD 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 23A 25W TO220FP |
| 功能描述 | 16 A、600 V低压降IGBT，带柔软、恢复速度极快的二极管 |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 17:28:00 |
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STGF10NB60SD规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).
特性 Features
• Low on-voltage drop (VCE(sat))
• High current capability
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
简介
STGF10NB60SD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGF10NB60SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGF10NB60SD
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：25
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：12
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：23
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- VCE(sat)_typ(V)
：1.35
- VF_typ(V)
：1.9
- Qg_typ(nC)
：33
- Eon_typ(mJ)
：0.6
- Eoff_typ(mJ)
：5
- Qrr_typ(nC)
：40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
9950 |
只做原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 FP |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220FP |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
20000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220FP |
26234 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 FP |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 FP |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 FP |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 |
