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STGD5H60DF中文资料600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT数据手册ST规格书
STGD5H60DF规格书详情
描述 Description
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• High-speed switching
• Tight parameter distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGD5H60DF
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：83
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：5
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：10
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：5
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：10
- VCE(sat)_typ(V)
：1.5
- VF_typ(V)
：2.1
- Qg_typ(nC)
：43
- Eon_typ(mJ)
：0.06
- Eoff_typ(mJ)
：0.08
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2450+ |
TO-252 |
9485 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
DPAK-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
DPAK |
27048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
DPAK-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
DPAK-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
9734 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
DPAK-3 |
32360 |
ST/意法全新特价STGD5H60DF即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO252 |
20000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
询价 |
