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STGD7NB60K数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
STGD7NB60K |
参数属性 | STGD7NB60K 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 70W DPAK |
功能描述 | N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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STGD7NB60K规格书详情
简介
STGD7NB60K属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGD7NB60K晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
STGD7NB60KT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,7A
- 开关能量:
95µJ(开),140µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
15ns/50ns
- 测试条件:
480V,7A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 14A 70W DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
5749 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
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ST |
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TO-252 |
12500 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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DPAK |
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ST |
23+ |
TO-252 |
30000 |
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ST |
24+ |
TO-252 |
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一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
27950 |
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STM |
24+ |
TO-252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO252DPAK |
8866 |
询价 |