首页>STGD7NB60S>规格书详情
STGD7NB60S中文资料Low Drop \"S\" series数据手册ST规格书

厂商型号 |
STGD7NB60S |
参数属性 | STGD7NB60S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 15A 55W DPAK |
功能描述 | Low Drop \"S\" series |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 14:10:00 |
人工找货 | STGD7NB60S价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
STGD7NB60S规格书详情
特性 Features
• HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
• HIGH CURRENT CAPABILITY
• VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
• SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX \\\"T4\\\")
• OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
简介
STGD7NB60S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGD7NB60S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:STGD7NB60S
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Industrial
- VCES_max(V)
:600
- PTOT_max(W)
:55
- Freewheeling diode
:false
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
:7
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
:15
- VCE(sat)_typ(V)
:1.2
- Qg_typ(nC)
:33
- Eon_typ(mJ)
:0.4
- Eoff_typ(mJ)
:5.3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-252-3 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST |
0628+ |
TO-252 |
7 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOT-252 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-252-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-252-2 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
ST/意法 |
18+PBF |
TO-252-2 |
664 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-252 |
8131 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
20000 |
现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-252-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
TO-252 |
4835 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |