首页>STGD7NB60S>规格书详情
STGD7NB60S数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGD7NB60S |
| 参数属性 | STGD7NB60S 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 15A 55W DPAK |
| 功能描述 | Low Drop \"S\" series |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 11:02:00 |
| 人工找货 | STGD7NB60S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGD7NB60S规格书详情
特性 Features
• HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
• HIGH CURRENT CAPABILITY
• VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
• SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX \\\"T4\\\")
• OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
简介
STGD7NB60S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGD7NB60S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGD7NB60S
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：55
- Freewheeling diode
：false
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：7
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：15
- VCE(sat)_typ(V)
：1.2
- Qg_typ(nC)
：33
- Eon_typ(mJ)
：0.4
- Eoff_typ(mJ)
：5.3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
SOT-252 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-252-2 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-252-2 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-252-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
ST |
2025+ |
TO-252 |
4835 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
