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STGB3NB60MDT4

STGB3NB60MDT4

STGB3NB60MDT4

详细参数

  • 型号:

    STGB3NB60MDT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多STGB3NB60MDT4供应商 更新时间2024-5-23 9:17:00