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NTGD1100LT1G	文件：520.179 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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TPNTGD1100LT1G	文件：3.63465 Mbytes Page：6 Pages	LoadSwitchwithLevel-Shift ProductSummary 1.8Vto8VInput 1.5Vto8VLogicLevelControl LowProfile,SmallFootprintSOT23-6 Package 2000VESDProtectiononInputSwitch AdjustableSlew-Rate Application BatteryPacks Battery-PoweredPortableEquipment CellularandCordlessTelephones	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

产品属性

产品编号：
STGD1100LT1G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
包装：
卷带（TR）
开关类型：
通用
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
P 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
1.8V ~ 8V
电流 - 输出（最大值）：
3.3A
导通电阻（典型值）：
40 毫欧
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
6-TSOP
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
描述：
IC PWR DRIVER P-CHAN 1

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