N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。 • 极低的栅极电荷 \n• 超低导通电阻 \n• 低栅极输入电阻;

ST

意法半导体

N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and • Worldwide best RDS(on) x area \n• Worldwide best FOM (figure of merit) \n• Ultra low gate charge \n• 100% avalanche tested \n• Zener-protected;

ST

意法半导体

N沟道30 V、2 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装

This device is an N-channel Power MOSFET with very low RDS(on) in all packages. • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;

ST

意法半导体

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 30V 3A DPAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 描述：TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 描述：TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

STMICROELECTRONICS

意法半导体