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STD38NH02L	文件：527.68 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 24V - 0.011 ohm - 38A DPAK/IPAK STripFET??III POWER MOSFET Description This device utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable fot the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved. General features ■ Logic level device ■ RDS(ON) * Qg Industry’s benchmark ■ 文件：527.68 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD38NH02L	文件：496.3 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET 文件：496.3 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD38NH02L	文件：1.68784 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68784 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD38NH02L_06	文件：496.3 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET 文件：496.3 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD38NH02L-1	文件：496.3 Kbytes Page：16 Pages	丝印：D38NH02L；Package：TO-251；N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET 文件：496.3 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD38NH02L-1	文件：1.68785 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68785 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD38NH02LT4	文件：496.3 Kbytes Page：16 Pages	丝印：D38NH02L；Package：TO-252；N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET 文件：496.3 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD38NH02L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 24V - 0.011 ohm - 38A DPAK/IPAK STripFET™ III POWER MOSFET	ST 意法半导体	ST

详细参数

型号：
STD38NH02L
功能描述：
MOSFET N-Ch 24 Volt 38 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STD38NH02L供应商更新时间2026-1-18 9:03:00

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