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STB100NH02L	文件：409.97 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET Description The STB100NH02L utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable fot the most demanding DC-DC converter applications where high efficiency is to be achieved. General features ■ RDS(ON) * Qg industry’s benchmark ■ Conduction losses 文件：409.97 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB100NH02LT4	文件：409.97 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET Description The STB100NH02L utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable fot the most demanding DC-DC converter applications where high efficiency is to be achieved. General features ■ RDS(ON) * Qg industry’s benchmark ■ Conduction losses 文件：409.97 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB100NH02LT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET	ST 意法半导体	ST
STD100NH02L	文件：475.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 24V - 0.0042ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM II Power MOSFET Description This device utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable fot the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved. General features ■ RDS(on) * Qg industry’s benchmark ■ Conduction losses redu 文件：475.07 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD100NH02L	文件：474.04 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET Description This device utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable fot the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved. General features ■ RDS(on) * Qg industry’s benchmark ■ Conduction losses redu 文件：474.04 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB100NH02L
功能描述：
MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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