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STB10NK60Z	文件：409.25 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET 文件：409.25 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB10NK60Z	文件：1.10799 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10799 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STB10NK60ZT4	文件：350.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 0.75Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：350.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STB10NK60Z_06	文件：492.83 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 600V - 0.65廓 - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET 文件：492.83 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB10NK60Z_08	文件：860.14 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 650 V, 0.65 廓, 10 A, SuperMESH??Power MOSFET Zener-protected I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 文件：860.14 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB10NK60Z-1	文件：492.83 Kbytes Page：19 Pages	丝印：B10NK60Z；Package：IPAK；N-channel 600V - 0.65廓 - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET 文件：492.83 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB10NK60Z-1	文件：409.25 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET 文件：409.25 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB10NK60ZT4	文件：409.25 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET 文件：409.25 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB10NK60ZT4	文件：1.10795 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10795 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STB10NK60ZT4	文件：492.83 Kbytes Page：19 Pages	丝印：B10NK60Z；Package：DPAK；N-channel 600V - 0.65廓 - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET 文件：492.83 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
600
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.75
Drain Current (Dc)_max(A)：
10
PTOT_max(W)：
115
Qg_typ(nC)：
50
Reverse Recovery Time_typ(ns)：
570
Peak Reverse Current_nom(A)：
15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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