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STB100NH02LT4	文件：409.97 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET Description TheSTB100NH02LutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitablefotthemostdemandingDC-DCconverterapplicationswherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(ON)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlosses	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD100NH02LT4	文件：475.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel24V-0.0042ohm-60A-DPAK-IPAKSTripFETTMIIPowerMOSFET Description ThisdeviceutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitablefotthemostdemandingDC-DCconverterapplicationwherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(on)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlossesredu	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STB100NH02LT4

文件：409.97 Kbytes

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N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET

Description TheSTB100NH02LutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitablefotthemostdemandingDC-DCconverterapplicationswherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(ON)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlosses

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Description ThisdeviceutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitablefotthemostdemandingDC-DCconverterapplicationwherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(on)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlossesredu

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详细参数

型号：
STB100NH02LT4
功能描述：
MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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